磁控溅射沉积氧化铝薄膜的迟滞效应

利用光发射谱(OES)技术,对反应磁控溅射过程的氧化铝薄膜的迟滞效应进行了研究。对等离子体中的铝(396nm)谱线和氧化铝(484nm)谱线随氧气流量的变化进行了实时测量,获得了其迟滞曲线。在迟滞曲线的不同位置分别进行了氧化铝薄膜的沉积试验。采用X射线衍射仪(XRD)、能谱仪(EDS)和紫外可见吸收光谱仪(UV-VIS)对薄膜的晶体结构、成分和透光性进行了分析。结果表明:由于磁控靶表面的氧化铝沉积影响了铝靶材的溅射,导致Al(396nm)谱线的强度对氧化铝薄膜的晶体结构、原子比以及样品的透光性有明显的影响。同时,由迟滞曲线可知在氧气流量为1.5～2.0mL/min的过渡区内存在着一个最优沉积带。在这个沉积带获得的样品,其成分具有最佳的化学原子量配比,为0.689。这说明沉积出了高质量的氧化铝薄膜。 下载全文