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第1章 外延技术概述
1.LED衬底、外延、芯片及封装产业技术发展动态
1、LED衬底、外延、芯片及封装产业简况LED衬底、外延及芯片、封装、技术指标等四部分2、LED衬底、外延及芯片技术发展动态三种衬底、外延、芯片、新技术、新材料等六部分3、LED封装技术发展动态封装技术、集成封装、封装材料等三部分4、结束语 详情>>
来源：《2014·LED配套材料产业发展...》
2014年第期
作者：彭万华
2.GaN基LED产业化中的外延相关技术问题
GaN基蓝绿光LED广泛应用于全色显示、背光光源及固态照明等,具有非常巨大的市场,其大规模产业化技术也由此显得极为重要。主要针对GaN基蓝绿光LED材料外延中的衬底使用、有源区中极化效应、InGaN合金的晶体质量和p型GaN的生长等方面的技术问题进行分析,并介绍了相应的解决方案。 详情>>
来源：《第十二届全国LED产业研讨与...》
2010年第期
作者：张洁;王笃祥
3.福建省LED外延芯片技术专利现状分析
阐述LED外延芯片技术及产业政策,分析国内特别是福建省LED外延芯片技术专利现状,研究福建省LED外延芯片专利发展中的问题,并提出防范该领域专利风险的建议。 详情>>
来源：《情报探索》
2013年第07期
作者：林强;叶英
4.广东LED产业外延环节发展概况
<正>~~ 详情>>
来源：《广东科技》
2011年第09期
作者：
5.高亮度白光LED用外延片的新进展
文章首先介绍了发光二极管(LED)的内量子效率、外量子效率的基本概念和提高量子效率的基本方法,接着对LED外延的结构和方法做了简要介绍.文章的第三和第四部分则着重介绍了提高内、外量子效率的外延方法,这些方法包括外延结构的优化,侧向外延生长,SiC和GaN衬底的生长,AlInGaN四元系有源区生长... 详情>>
来源：《物理》
2007年第05期
作者：张国义;陆敏
6.LED用非极性GaN外延膜的制备技术进展
GaN是实现白光LED的关键材料。GaN外延膜通常沿极性c轴生长,基于极性GaN的LED有源层量子阱中由于强内建电场的存在而导致器件发光效率降低,而沿非极性面生长的GaN外延膜可以改善或消除极化效应导致的辐射复合效率降低和发光波长蓝移等问题。文章总结了非极性GaN外延膜的制备技术及研究进展,包... 详情>>
来源：《半导体光电》
2011年第04期
作者：陈金菊;王步冉
第2章 常用外延衬底
1.几种LED衬底材料的特征对比与研究现状
概述了LED用衬底的三种物质氧化铝、炭化硅、氧化锌各自的特性,衬底选取的原则,得出它们作衬底的优缺点及其研究现状。 详情>>
来源：《科学技术与工程》
2006年第02期
作者：王如刚;陈振强
2.新型衬底上的蓝白光LED研究进展
<正>目前使用的氮化物LED一般生长在蓝宝石衬底上。该技术存在几个严峻的问题:一方面,蓝宝石价格昂贵,使得氮化物器件生产成本高昂;另一方面,蓝宝石热导率低,不利于开发高功率氮化物器件;再次,基于蓝宝石上的LED核心技术几乎已全部欧美国家垄断并申请了专利。针对以上问题,本研究团队在前期的... 详情>>
来源：《2014中国功能材料科技与产业...》
2014年第期
作者：李国强
3.未来蓝绿光LED衬底发展趋势
<正>~~ 详情>>
来源：《2014·LED配套材料产业发展...》
2014年第期
作者：江忠永
4.大尺寸硅衬底氮化镓基LED的研发及产业化
2011年8月，美国硅谷的普瑞光电公司发布新闻称在8英寸硅衬底上研发出高光效氮化镓基LED，取得了与蓝宝石及碳化硅衬底上顶尖水平的LED器件性能相媲美的发光效率160流明/瓦。该技术突破在工业界、投资界及学术界引起巨大反响... 详情>>
来源：《中国建设报》
2013-03-05
作者：任欢欢
5.LED用SiC衬底的超精密研磨技术现状与发展趋势
介简单地介绍了发光二极管的发展历程,概述了LED用SiC衬底的超精密研磨技术的最新现状及发展趋势,阐述了研磨技术的原理、应用和优势。同时结合实验室X61 930B2M-6型研磨机,分析了加工工艺参数对研磨表面质量的影响,介绍了当前SiC衬底加工达到的精度水平,即SiC衬底表面粗糙度小于50nm,平面度和... 详情>>
来源：《机械设计与制造》
2013年第04期
作者：臧跃;周海
6.LED用蓝宝石衬底材料的未来发展和挑战
<正>~~ 详情>>
来源：《2014·LED配套材料产业发展...》
2014年第期
作者：黄小卫
7.高效大功率LED用蓝宝石图形衬底的制备
首先在蓝宝石衬底上旋涂PMMA/copolymer双层胶,然后再进行电子束光刻处理,随后溅射铝膜,并结合剥离技术,从而制备图形化金属铝膜;最后再采用两步热处理法,使图形铝膜发生固相外延反应。在此过程中,侧重于电子束光刻和高温热处理的工艺优化研究。SEM测试结果表明,图形化铝膜在450℃低温氧化热处... 详情>>
来源：《人工晶体学报》
2013年第08期
作者：汪桂根;崔林
8.LED蓝宝石图形化衬底制备工艺研讨
近年来发展起来的蓝宝石图形化衬底(PSS)技术,不仅能减少生长在蓝宝石衬底上GaN外延材料的位错密度,延长LED使用寿命,还能提高LED芯片的出光效率,从而提高LED发光效率。本文着重介绍了蓝宝石图形化衬底的两种主流制备工艺及其优缺点,并比较了两种不同图形尺寸制备蓝宝石图形衬底的特点及对LED... 详情>>
来源：《科技风》
2013年第07期
作者：蒋准;侯旭鹏
9.SiC衬底上MOCVD法外延GaN基蓝光LED
利用MOCVD在SiC衬底上采用AlN缓冲层外延GaN材料。GaN的X射线(002)和(102)摇摆曲线分别是303″和311″,表明获得了高质量的GaN材料。原子力显微镜照片能清晰地观察到GaN表面的原子台阶,材料的表面粗糙度为0.19nm,小于蓝宝石衬底上GaN薄膜的粗糙度。采用不同厚度的AlN缓冲层外延GaN基蓝光LED,并... 详情>>
来源：《半导体技术》
2008年第S1期
作者：朱学亮;曲爽
10.SiC衬底GaN LED生长及器件制备
<正>半导体发光二极管(LED)是制备半导体照明这一新型光源的核心元器件,具有巨大的市场前景。蓝光GaNLED可采用蓝宝石(Sapphire)与碳化硅(SiC)作为外延衬底材质,并以蓝宝石基板应用较为普遍。SiC与GaN的晶格失配仅为3%左右,理论上在SiC衬底上生长的GaN质量更好,而且SiC具有导热、导电性能,是制... 详情>>
来源：《第十二届全国MOCVD学术会议...》
2012年第期
作者：梁红伟;宋世巍
第3章 外延层制备
1.磁控反应溅射AlN缓冲层对GaN基LED器件性能的影响
以直流磁控反应溅射法(RMS)在图形化蓝宝石衬底上制备的AlN薄膜作为缓冲层,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)外延生长了GaN基LED。与MOCVD生长的低温GaN缓冲层相比,RMS制备的AlN缓冲层具有表面更平整、颗粒更小的形核岛,有利于促进GaN外延的横向生长,减少了形核岛合并时的界面数量和高度差异... 详情>>
来源：《发光学报》
2015年第12期
作者：农明涛;苗振林
2.不同形状的电流阻挡层对GaN基LED光效的影响
电流阻挡层(CBL)可以改善发光二极管(LED)的发光效率和输出光功率,其形状对电流的阻挡作用有影响。本文通过等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)在InGaN/GaN多量子阱外延片上制备了SiO2薄膜,并腐蚀出不同结构作为电流阻挡层:A组形状与P电极形状相同,B组为Y形CBL,C组为点状CBL。通过对这3组芯... 详情>>
来源：《发光学报》
2013年第04期
作者：曹伟伟;朱彦旭
3.溶胶凝胶法制备ZnO:Ga作为电流扩散层的LED光电性能研究
采用溶胶凝胶法制备了ZnO:Ga(GZO)透明导电薄膜,并用做GaN基LED的电流扩散层。研究表明,GZO薄膜为多晶薄膜,透光率大于80%,粗糙度为Ra 4.6nm,制备的LED的开启电压为2.4V,并成功的点亮LED芯片。 详情>>
来源：《功能材料与器件学报》
2012年第03期
作者：李倩;王万晶
4.Na掺杂p型ZnO和ZnO/ZnMgO多量子阱结构基LED的制备与室温...
在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.1O多层量子阱结构作为有源层,Na作为p型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温电注入条件下,实现了较强的紫蓝发光,且有效控制了缺陷发光.这项工作将为ZnO LED走向应用起到重要的推进作用. 详情>>
来源：《半导体学报》
2008年第08期
作者：叶志镇;林时胜
5.p型InGaN/GaN超晶格N面GaN基LED的光电特性
随着氮(N)面Ga N材料生长技术的发展,基于N面Ga N衬底的高亮度发光二极管(LED)的研究具有重要的科学意义。研究了具有高发光功率的N面Ga N基蓝光LED的新型结构设计,通过在N面LED的电子阻挡层和多量子阱有源层之间插入p型In Ga N/Ga N超晶格来提高有源层中的载流子注入效率。为了对比N面Ga N基... 详情>>
来源：《半导体技术》
2015年第11期
作者：姚楚君;杨国锋
6.GaN基LED低温空穴注入层的MOCVD生长研究
针对GaN基LED空穴注入效率低的问题,在量子阱与电子阻挡层之间插入低温空穴注入层(LTHIL),实验研究了MOCVD生长LT-HIL时二茂镁(Cp2Mg)流量和生长温度的影响。结果表明:随着Cp2Mg流量的增加,外延薄膜晶体质量下降,外延片表面平整度和均匀性降低;而受Mg掺杂时补偿效应的影响,主波长先红移后蓝移... 详情>>
来源：《发光学报》
2014年第05期
作者：黄华茂;游瑜婷
第4章 设备与工艺
1.MOCVD科学与技术50年回顾与展望
MOCVD作为CVD领域的一个新型技术分支最早出现于1960年代,以M-C化学键为中心的有机金属化合物源替代传统的卤化物源,其突出优点是既克服了卤化物法CVD的气相腐蚀问题,又能大大降低淀积温度,为CVD技术在半导体光电材料与器件方面打开了走向高质量、规模化发展的康庄大道,加之与各种新技术诸如等... 详情>>
来源：《第十二届全国MOCVD学术会议...》
2012年第期
作者：孟广耀
2.中国MOCVD技术在LED领域的发展现状及展望
<正>国家宏观政策及产业布局(1)宏观政策:在《国家中长期科学与技术发展规划纲要》中半导体照明产品被列入"十一五"中长期科技规划,由国家发展改革委、科技部、工业和信息化部、财政部、住房城乡建设部、国 详情>>
来源：《第十一届全国MOCVD学术会议...》
2010年第期
作者：董志江
3.MOCVD装备技术及产业发展分析
MOCVD(金属有机化合物气相沉积)设备是LED产业的核心关键设备,技术长期被国外企业垄断。近期,我国在MOCVD装备领域取得了可喜的突破,涌现出了多家各具技术特色和优势的MOCVD装备研发企业,目前已有企业的自主装备产品成功下线交付客户。但目前国产MOCVD装备产业化仍面临着较为严重的瓶颈障碍,亟... 详情>>
来源：《中国高新技术企业》
2013年第03期
作者：王雪莹
4.LED产业MOCVD设备专利信息分析
通过世界专利索引数据库(DWPI)对MOCVD设备专利进行全面检索,然后进行人工标引,剔除不相关专利,经过引证、权利要求项、诉讼等指标的筛选,对AIXTRON的喷淋头结构技术和VECOO公司的MOCVD托盘技术专利进行分析和预警。在"七国两组织"专利数据库与综合专利检索分析系统中,检索出中国的MOCVD设备申... 详情>>
来源：《照明工程学报》
2013年第05期
作者：喻晓鹏;范广涵
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